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IT之家 10 月 31 日消息，10 月 30 日，长鑫科技在第三季度业绩交流会上透露，报告期内，公司第五代工艺技术平台已进入量产阶段；基于 4F² 垂直沟道 DRAM 架构的关键突破，第六代工艺技术平台已完成工程样片验证；LPDDR6 产品实现量产。

公告指出，第五代工艺技术平台是长鑫目前量产的最先进平台，现阶段主要推出 245Ball 和 496Ball 封装的 LPDDR5X 产品。未来公司计划依托该平台逐步升级现有产品线，例如 DDR5、LPDDR6 等，以持续增强产品性能并扩大产品组合。同时，在 4F² 垂直沟道 DRAM 架构取得关键进展的基础上，第六代工艺技术平台已完成工程样片验证。

IT之家从公告获悉，第五代工艺技术平台每片晶圆的裸片产出量较第四代平台提升至少 50%，在能效和成本控制方面具有显著优势，这得益于第五代工艺技术平台在关键工艺环节实现了多项行业领先的技术创新，进一步降低了功耗，提升了接口速度，为 LPDDR6 未来大规模量产和商业化应用提供了技术平台支撑。公司目前基于第六代工艺平台开发的 4F² 架构，通过更紧凑的布局显著缩小了存储单元面积，提高了单位面积存储密度，为未来工艺技术平台的迭代奠定了坚实基础。

4F² 架构是该公司面向下一代前瞻技术的重要布局。在时间节点上，预计今年年底该公司将把采用 4F² 架构的首代 DDR5 RDIMM 产品送样；在应用方向上，将优先落地于服务器等高附加值、对密度要求高的领域，随后逐步扩展至其他品类。规模量产将根据客户验证进度和市场需求情况稳步推进。

长鑫科技表示，4F² 架构采用逻辑晶圆与存储晶圆键合堆叠的方式，在产品定义上具有更大的灵活性。此外，公司自研的 VSG（垂直环绕栅极）晶体管采用垂直包围沟道结构，为后续节点的进一步微缩开辟了道路。